Quadro M5000M 与 Quadro T1000 Mobile GDDR6
主要细节
关于类型（对于台式计算机或笔记本电脑）和Quadro M5000M和Quadro T1000 Mobile GDDR6架构的信息，还有有关销售开始时间和当时成本的信息。
| 在运行速度排行榜的地位 | 298 | 没有评价 |
| 按受欢迎程度排列 | 未进入前 100 名 | 未进入前 100 名 |
| 電源效率 | 12.60 | 没有数据 |
| 架构 | Maxwell 2.0 (2014−2019) | Turing (2018−2022) |
| 代号 | GM204 | TU117B |
| 类型 | 对于移动工作站 | 对于移动工作站 |
| 发布日期 | 18 8月 2015（9年 前） | 8 6月 2020（4年 前） |
详细规格
Quadro M5000M和Quadro T1000 Mobile GDDR6的一般参数：着色器的数量，视频核心的频率，制造过程，纹理化和计算的速度。所有这些特性都间接表示Quadro M5000M和Quadro T1000 Mobile GDDR6性能，尽管要进行准确的评估，必须考虑基准测试和游戏测试的结果。
| 着色器处理器的数量 | 1,536 | 896 |
| 核心频率 | 975 MHz | 1395 MHz |
| Boost模式下的频率 | 1051 MHz | 1650 MHz |
| 晶体管数 | 5,200 million | 4,700 million |
| 工艺过程 | 28 nm | 12 nm |
| (TDP)能源消耗 | 100 Watt | 50 Watt |
| 纹理填充率 | 93.60 | 92.40 |
| 带浮点的性能 | 2.995 TFLOPS | 2.957 TFLOPS |
| ROPs | 64 | 32 |
| TMUs | 96 | 56 |
外形尺寸和兼容性
负责Quadro M5000M和Quadro T1000 Mobile GDDR6与计算机其他组件兼容性的参数。例如，在选择将来的计算机配置或升级现有计算机配置时很有用。对于台式机显卡，这是接口和连接总线（与主板的兼容性），显卡的物理尺寸（与主板和机箱的兼容性），附加的电源连接器（与电源的兼容性）。
| 笔记本电脑的大小 | large | 没有数据 |
| 介面 | PCIe 3.0 x16 | PCIe 3.0 x16 |
| 附加电源连接器 | 不是 | 不是 |
VRAM 容量和类型
Quadro M5000M和Quadro T1000 Mobile GDDR6上安装的内存的参数是类型，大小，总线，频率和带宽。对于没有内存的集成显卡，则使用共享内存 - 内存储器的一部分。
| 内存型 | GDDR5 | GDDR6 |
| 最大存储容量 | 8 千兆字节 | 4 千兆字节 |
| 内存总线宽度 | 256 Bit | 128 Bit |
| 内存频率 | 1253 MHz | 1500 MHz |
| 内存通过量 | 160 千兆字节/s | 192.0 千兆字节/s |
| 共享内存 | - | - |
连接和输出
列出Quadro M5000M和Quadro T1000 Mobile GDDR6上可用的視頻連接器。 通常，本節僅與台式機參考視頻卡有關，因為對於筆記本電腦參考視頻卡，某些視頻輸出的可用性取決於筆記本電腦的型號。
| 显示连接器 | No outputs | No outputs |
| Display Port | 1.2 | 没有数据 |
支持的技术
这里列出了受支持的Quadro M5000M和Quadro T1000 Mobile GDDR6技术解决方案和API应用程序编程接口。 如果要求显卡支持特定技术，则将需要此类信息。
| Optimus | + | - |
| 3D Vision Pro | + | 没有数据 |
| Mosaic | + | 没有数据 |
| nView Display Management | + | 没有数据 |
| Optimus | + | 没有数据 |
API 兼容性
列出了Quadro M5000M和Quadro T1000 Mobile GDDR6支持的API连接器，包括其版本。
| DirectX | 12 | 12 (12_1) |
| 着色器 | 6.4 | 6.5 |
| OpenGL | 4.5 | 4.6 |
| OpenCL | 1.2 | 1.2 |
| Vulkan | + | 1.2.140 |
| CUDA | 5.2 | 7.5 |
利弊总结
| 新颖性 | 18 8月 2015 | 8 6月 2020 |
| 最大存储容量 | 8 千兆字节 | 4 千兆字节 |
| 工艺过程 | 28 nm | 12 nm |
| (TDP)能源消耗 | 100 瓦特 | 50 瓦特 |
M5000M 的最大 VRAM 容量比 100 高 #%.
另一方面，T1000 Mobile GDDR6 的年龄优势为 4 岁、133.3%更先进的光刻工艺、耗电量降低了100%.
我们无法在Quadro M5000M和Quadro T1000 Mobile GDDR6之间做出决定。我们没有测试结果数据来挑选赢家。
如果您仍然对在Quadro M5000M和Quadro T1000 Mobile GDDR6之间进行选择有疑问，请在评论中提问，我们将予以回答。
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