Snapdragon X Elite X1E-80-100 เทียบกับ Core 2 Duo E8400
เนื้อหา
รายละเอียดหลัก
การเปรียบเทียบประเภทตลาดโปรเซสเซอร์ (เดสก์ท็อปหรือโน้ตบุ๊ก) สถาปัตยกรรม เวลาเริ่มขาย และราคา
| ตำแหน่งในการจัดอันดับประสิทธิภาพ | 2781 | ไม่ได้จัดอันดับ |
| จัดอันดับตามความนิยม | ไม่ได้อยู่ใน 100 อันดับแรก | ไม่ได้อยู่ใน 100 อันดับแรก |
| ประเภทตลาด | โปรเซสเซอร์เดสก์ท็อป | แล็ปท็อป |
| ซีรีส์ | ไม่มีข้อมูล | Snapdragon X |
| ประสิทธิภาพการใช้พลังงาน | 1.08 | ไม่มีข้อมูล |
| ผู้พัฒนา | Intel | ไม่มีข้อมูล |
| ผู้ผลิต | Intel | ไม่มีข้อมูล |
| ชื่อรหัสสถาปัตยกรรม | Wolfdale (2008−2010) | Oryon |
| วันที่วางจำหน่าย | 1 มกราคม 2008 (เมื่อ 17 ปี ปีที่แล้ว) | ไม่มีข้อมูล |
สเปกโดยละเอียด
พารามิเตอร์พื้นฐานของ Core 2 Duo E8400 และ Snapdragon X Elite X1E-80-100 เช่น จำนวนคอร์, จำนวนเธรด, ความถี่พื้นฐาน, ความถี่เทอร์โบบูสต์, กระบวนการลิทอกราฟี, ขนาดแคช และสถานะการล็อกตัวคูณ พารามิเตอร์เหล่านี้อาจบ่งบอกถึงความเร็วของ CPU ได้ในบางส่วน แต่หากต้องการประเมินอย่างแม่นยำ คุณจำเป็นต้องพิจารณาผลการทดสอบของพวกมัน
| คอร์ทางกายภาพ | 2 | 12 |
| เธรด | 2 | 12 |
| ความเร็วสัญญาณนาฬิกาฐาน | 3 GHz | ไม่มีข้อมูล |
| ความถี่บูสต์คลอก | 3 GHz | 4 GHz |
| อัตราบัส | 1333 MHz | ไม่มีข้อมูล |
| แคช L1 | 64 เคบี (per core) | ไม่มีข้อมูล |
| แคช L2 | 6 เอ็มบี (shared) | ไม่มีข้อมูล |
| แคช L3 | 0 เคบี | ไม่มีข้อมูล |
| การผลิตชิปด้วยลิทอกราฟี | 45 nm | 4 nm |
| ขนาดได | 104 มม2 | ไม่มีข้อมูล |
| อุณหภูมิเคสสูงสุด (TCase) | 72 °C | ไม่มีข้อมูล |
| จำนวนทรานซิสเตอร์ | 410 million | ไม่มีข้อมูล |
| รองรับ 64 บิต | + | + |
| รองรับ Windows 11 | - | ไม่มีข้อมูล |
| ช่วงแรงดันไฟ VID | 0.85V-1.3625V | ไม่มีข้อมูล |
ความเข้ากันได้
ข้อมูลเกี่ยวกับความเข้ากันได้ของ Core 2 Duo E8400 และ Snapdragon X Elite X1E-80-100 กับอุปกรณ์คอมพิวเตอร์อื่นๆ เช่น เมนบอร์ด (ดูประเภทซ็อกเก็ต), หน่วยจ่ายไฟ (ดูการใช้พลังงาน) เป็นต้น มีประโยชน์เมื่อคุณวางแผนกำหนดค่าคอมพิวเตอร์ใหม่หรืออัปเกรดคอมพิวเตอร์ที่มีอยู่ โปรดทราบว่าการใช้พลังงานของโปรเซสเซอร์บางรุ่นอาจเกินกว่า TDP ที่กำหนดไว้ แม้ไม่ได้ทำการโอเวอร์คล็อก และในบางกรณีอาจเพิ่มเป็นสองเท่าของค่าความร้อนที่ระบุไว้ หากเมนบอร์ดรองรับการปรับแต่งพารามิเตอร์พลังงานของ CPU
| จำนวน CPU ในการกำหนดค่า | 1 | ไม่มีข้อมูล |
| ซ็อกเก็ต | LGA775 | ไม่มีข้อมูล |
| การใช้พลังงาน (TDP) | 65 Watt | ไม่มีข้อมูล |
เทคโนโลยีและส่วนขยาย
โซลูชันทางเทคโนโลยีและคำสั่งเพิ่มเติมที่รองรับโดย Core 2 Duo E8400 และ Snapdragon X Elite X1E-80-100 ข้อมูลนี้อาจมีประโยชน์หากคุณต้องการเทคโนโลยีเฉพาะ
| Enhanced SpeedStep (EIST) | + | ไม่มีข้อมูล |
| Turbo Boost Technology | - | ไม่มีข้อมูล |
| Hyper-Threading Technology | - | ไม่มีข้อมูล |
| Idle States | + | ไม่มีข้อมูล |
| Thermal Monitoring | + | - |
| Demand Based Switching | - | ไม่มีข้อมูล |
| ความสมดุล FSB | - | ไม่มีข้อมูล |
เทคโนโลยีด้านความปลอดภัย
เทคโนโลยีของ Core 2 Duo E8400 และ Snapdragon X Elite X1E-80-100 ที่มุ่งเน้นการเพิ่มความปลอดภัย เช่น การป้องกันการแฮก
| TXT | + | ไม่มีข้อมูล |
| EDB | + | ไม่มีข้อมูล |
เทคโนโลยีการจำลองเสมือน
เทคโนโลยีการเพิ่มความเร็วของเครื่องเสมือนที่รองรับโดย Core 2 Duo E8400 และ Snapdragon X Elite X1E-80-100 มีการระบุไว้ที่นี่
| VT-d | + | ไม่มีข้อมูล |
| VT-x | + | ไม่มีข้อมูล |
สเปกหน่วยความจำ
ประเภท, ความจุสูงสุด และจำนวนช่องทางของ RAM ที่รองรับโดย Core 2 Duo E8400 และ Snapdragon X Elite X1E-80-100 ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับเมนบอร์ด อาจรองรับความถี่หน่วยความจำที่สูงกว่าได้
| ประเภทหน่วยความจำที่รองรับ | DDR1, DDR2, DDR3 | ไม่มีข้อมูล |
สเปกกราฟิก
พารามิเตอร์ทั่วไปของ GPU แบบรวม หากมี
| การ์ดจอกราฟิกแบบรวม | On certain motherboards (Chipset feature) | ไม่มีข้อมูล |
อุปกรณ์ต่อพ่วง
สเปกและการเชื่อมต่อของอุปกรณ์ต่อพ่วงที่รองรับโดย Core 2 Duo E8400 และ Snapdragon X Elite X1E-80-100
| เวอร์ชัน PCIe | 2.0 | ไม่มีข้อมูล |
สรุปข้อดีและข้อเสีย
| คอร์ทางกายภาพ | 2 | 12 |
| เธรด | 2 | 12 |
| การผลิตชิปด้วยลิทอกราฟี | 45 nm | 4 nm |
Snapdragon X Elite X1E-80-100 มีข้อได้เปรียบ มีจำนวนคอร์กายภาพมากกว่า 500% และจำนวนเธรดและมีกระบวนการลิทอกราฟีที่ก้าวหน้ากว่าถึง 1025%
เราไม่สามารถตัดสินระหว่าง Intel Core 2 Duo E8400 และ Snapdragon X Elite X1E-80-100 ได้ เนื่องจากเราไม่มีผลการทดสอบเพื่อประเมิน
โปรดทราบว่า Core 2 Duo E8400 เป็นโปรเซสเซอร์เดสก์ท็อป ในขณะที่ Snapdragon X Elite X1E-80-100 เป็นโปรเซสเซอร์โน้ตบุ๊ก
